▣ 반도체 소자의 기초 특성을 데이터 기반으로 학습하고, 정량적 데이터 분석법을 적용하여 반도체 소자의 전하거동 원리 및 산란 원인에 관한 학술적 이해를 높이고자 함
▣ 대학원생의 반도체 소자에 관한 연구자로서의 기초소양을 두루 갖춘 우수 연구자를 배출하고자 함
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세부내용
-[응용물리/신소재물리전공] 반도체 트랜지스터 전기적 특성 분석을 위한 Mathcad 프로그래밍 -
1. 운영개요
반도체 소자 분석에 관심있는 대학원생들(학부생 포함)에게 반도체 데이터 대표 처리 프로그램 중 하나인 Mathcad를 소개하고 소자 측정 방법과 데이터 분석 방법 설명함. 반도체 소자에서 얻어진 전류-전압 특성을 기반으로 Mathcad 프로그램을 적용함.
2. 운영 일정 및 내용
• 1회차 (2시간)
- 2024.11.1.(금요일)/Contents Maker (녹화 강의 수행)
- MOS-FET 반도체 전자 소자 동작 원리 소개 및 Mathcad 프로그램 소개
• 2회차 (2시간)
- 2024.11.8.(금요일)/Contents Maker (녹화 강의 수행)
- 간단한 전류 I-V 모델 유도 및 전기적 성능 지표 파라미터 소개
• 3회차 (2시간)
- 2024.11.15.(금요일)/Contents Maker (녹화 강의 수행)
- MOSFET 거동 원리에 기반한 Mathcad 시물레이션 (Y Function Method, 4단자 측정, TLM 등)
• 4회차 (2시간)
- 2024.11.22.(금요일)/Contents Maker (녹화 강의 수행)
- Split CV 측정 원리/이론 소개 및 데이터 분석 방법 소개
• 5회차 (2시간)
- 2024.11.29.(금요일)/Contents Maker (녹화 강의 수행)
- 저주파 잡음 측정 데이터 분석 및 이론 소개
3. 기대효과
▣ 정량적 데이터 기반 반도체 소자 거동 및 전하 산란 원인 이해
▣ 연구 데이터 정량적 처리 방법 학습
▣ 반도체 산업 기반 직무 역량 강화
※ 모든 프로그램에 출석해야 마일리지 획득이 가능합니다.